SI5908DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
부품 번호：
SI5908DC-T1-E3
대체 모델：
SI5935CDC-T1-GE3 , SI5902BDC-T1-E3 , DP83620SQE/NOPB , SI5504BDC-T1-E3 , SI1026X-T1-GE3 , SI4174DY-T1-GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
RoHS는：
YES
SI5908DC-T1-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SMD, Flat Lead
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
구성：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
전력 - 최대：
1.1W
공급자 장치 패키지：
1206-8 ChipFET™
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
7.5nC @ 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4.4A
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