SI5515DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A/3A 1206-8
부품 번호：
SI5515DC-T1-E3
대체 모델：
NTHD3100CT1G , NJVMJD32T4G , TT8M2TR , LM5155QDSSRQ1 , SI5515CDC-T1-E3 , SI7868ADP-T1-E3 , SI1865DDL-T1-GE3 , SI4816BDY-T1-E3 , RB520S-30-TP , SI4874BDY-T1-E3 , VNN7NV04PTR-E , LM5155QDSSTQ1 , MBRS340T3G , WF200C , SN74CBTLV1G125DCKR
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A/3A 1206-8
RoHS는：
YES
SI5515DC-T1-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SMD, Flat Lead
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구성：
N and P-Channel
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
전력 - 최대：
1.1W
공급자 장치 패키지：
1206-8 ChipFET™
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
7.5nC @ 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4.4A, 3A
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