FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDZ193P사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±12V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3A (Ta)
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
1.9W (Ta)
공급자 장치 패키지：
6-WLCSP (1x1.5)
패키지/케이스：
6-UFBGA, WLCSP
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
660 pF @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
90mOhm @ 1A, 4.5V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.7V, 4.5V
