FDD6N25TF
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
FDD6N25TF사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(최대)：
±30V
드레인-소스 전압(Vdss)：
250 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
5V @ 250µA
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
전력 소비(최대)：
50W (Tc)
공급자 장치 패키지：
TO-252AA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4.4A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
250 pF @ 25 V
