FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
FDB8832사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
공급자 장치 패키지：
TO-263 (D2PAK)
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
전력 소비(최대)：
300W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
11400 pF @ 15 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.9mOhm @ 80A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
265 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
34A (Ta), 80A (Tc)
