NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NTLJS3113PT1G사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
6-WDFN Exposed Pad
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±8V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.5V, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 250µA
전력 소비(최대)：
700mW (Ta)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.5A (Ta)
공급자 장치 패키지：
6-WDFN (2x2)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 3A, 4.5V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
15.7 nC @ 4.5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1329 pF @ 16 V
