IPI60R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
IPI60R299CPXKSA1사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
패키지/케이스：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
11A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO262-3
전력 소비(최대)：
96W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.5V @ 440µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1100 pF @ 100 V
