IPI100N06S3L04XK
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
IPI100N06S3L04XK사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
100A (Tc)
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
55 V
패키지/케이스：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
5V, 10V
Vgs(최대)：
±16V
공급자 장치 패키지：
PG-TO262-3
전력 소비(최대)：
214W (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.2V @ 150µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
3.8mOhm @ 80A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
362 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
17270 pF @ 25 V
