IPD640N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
IPD640N06LGBTMA1사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
18A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO252-3
전력 소비(최대)：
47W (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2V @ 16µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
64mOhm @ 18A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
470 pF @ 30 V
