FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
FQPF9P25YDTU사양
장착 유형：
Through Hole
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
Vgs(최대)：
±30V
드레인-소스 전압(Vdss)：
250 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
5V @ 250µA
전력 소비(최대)：
50W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
38 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1180 pF @ 25 V
패키지/케이스：
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
공급자 장치 패키지：
TO-220F-3 (Y-Forming)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
620mOhm @ 3A, 10V
