FGA50T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
部品番号：
FGA50T65SHD
代替モデル：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G
製造元：
Sanyo Semiconductor/onsemi
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
説明：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
RoHS の：
YES
FGA50T65SHD 仕様
取付タイプ：
Through Hole
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBTの種類：
Trench Field Stop
パッケージ・ケース：
TO-3P-3, SC-65-3
入力方式：
Standard
電流 - コレクタパルス (Icm)：
150 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)：
650 V
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic：
2.1V @ 15V, 50A
電流 - コレクタ (Ic) (最大)：
100 A
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-3PN
ゲートチャージ：
87 nC
試験条件：
400V, 50A, 6Ohm, 15V
パワー - 最大：
319 W
逆回復時間 (trr)：
34.6 ns
スイッチングエネルギー：
1.28mJ (on), 384µJ (off)
Td (オン/オフ) @ 25°C：
22.4ns/73.6ns
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