FGA30T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
部品番号：
FGA30T65SHD
代替モデル：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G , MIW40N65RA-BP , FGA40T65SHD , SIHP6N40D-BE3 , IHW40N65R6XKSA1 , IKFW40N65ES5XKSA1 , STLINK-V3MODS , NUCLEO-H743ZI2 , MOC3053SM , LNK3696G-TL , ATDS3534UV405B , ABM8-27.120MHZ-10-D1G-T
製造元：
Sanyo Semiconductor/onsemi
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
説明：
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
RoHS の：
YES
FGA30T65SHD 仕様
取付タイプ：
Through Hole
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBTの種類：
Trench Field Stop
パッケージ・ケース：
TO-3P-3, SC-65-3
入力方式：
Standard
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)：
650 V
電流 - コレクタ (Ic) (最大)：
60 A
電流 - コレクタパルス (Icm)：
90 A
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic：
2.1V @ 15V, 30A
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-3PN
パワー - 最大：
238 W
逆回復時間 (trr)：
31.8 ns
試験条件：
400V, 30A, 6Ohm, 15V
スイッチングエネルギー：
598µJ (on), 167µJ (off)
ゲートチャージ：
54.7 nC
Td (オン/オフ) @ 25°C：
14.4ns/52.8ns
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