MG12150S-BN2MM
IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3
部品番号：
MG12150S-BN2MM
代替モデル：
FF200R12KE4HOSA1
製造元：
Wickmann / Littelfuse
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
IGBT Modules >
説明：
IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3
RoHS の：
YES
MG12150S-BN2MM 仕様
取付タイプ：
Chassis Mount
動作温度：
-40°C ~ 125°C (TJ)
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)：
1200 V
入力：
Standard
IGBTの種類：
Trench Field Stop
NTCサーミスタ：
No
電流 - コレクタカットオフ (最大)：
1 mA
電流 - コレクタ (Ic) (最大)：
200 A
構成：
Half Bridge
パワー - 最大：
625 W
パッケージ・ケース：
S-3 Module
サプライヤーデバイスパッケージ：
S3
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic：
1.7V @ 15V, 150A (Typ)
入力容量 (Cies) @ Vce：
10.5 nF @ 25 V
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