SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
部品番号：
SQJ469EP-T1_GE3
代替モデル：
SQJ479EP-T1_GE3 , LT1761IS5-5#TRMPBF , EPC2204 , INA237AQDGSRQ1 , GRPB041VWCN-RC , SN74LVC125AD , INA3221AQRGVRQ1 , SN74LVC1T45MDCKREP , LTC3115EFE-2#PBF , SQJ465EP-T1_GE3 , SQJ459EP-T1_GE3 , SN65HVD11HD , SQJ457EP-T1_GE3 , SQJA81EP-T1_GE3 , LT1761IS5-3.3#TRMPBF
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SQJ469EP-T1_GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.5V @ 250µA
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
資格：
AEC-Q101
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
80 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
32A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
消費電力(最大)：
100W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
155 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
25mOhm @ 10.2A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5100 pF @ 40 V
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