SIS430DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
部品番号：
SIS430DN-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
RoHS の：
YES
SIS430DN-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® 1212-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® 1212-8
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
25 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
35A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
5.1mOhm @ 20A, 10V
消費電力(最大)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1600 pF @ 12.5 V
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