SIR418DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
部品番号：
SIR418DP-T1-GE3
代替モデル：
5V41066PGG , SN74LVC1G07DSF2 , SIR422DP-T1-GE3 , SMBG18CA-E3/52 , TL3360CF185Q , USB2240I-AEZG-06 , S8B-PH-K-S , 74626-11S0BPLF , 132289 , S3B-PH-K-S , DF40HC(3.0)-100DS-0.4V(58) , 5972751607F , LTST-C191KGKT , B6B-PH-K-S , SJ-435107RS
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SIR418DP-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
40 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
40A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
75 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
5mOhm @ 20A, 10V
消費電力(最大)：
39W (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2410 pF @ 20 V
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