SI7909DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
部品番号：
SI7909DN-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
RoHS の：
YES
SI7909DN-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 P-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
12V
パワー - 最大：
1.3W
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
5.3A
パッケージ・ケース：
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
24nC @ 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 700µA
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