SI5975DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
部品番号：
SI5975DC-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
RoHS の：
YES
SI5975DC-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 P-Channel (Dual)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
9nC @ 4.5V
パワー - 最大：
1.1W
サプライヤーデバイスパッケージ：
1206-8 ChipFET™
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.1A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
86mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID：
450mV @ 1mA (Min)
パッケージ・ケース：
8-SMD, Flat Leads
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