SI5913DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
部品番号：
SI5913DC-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
RoHS の：
YES
SI5913DC-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±12V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
12 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
4A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 250µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
330 pF @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
1206-8 ChipFET™
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 10V
FETの特徴：
Schottky Diode (Isolated)
パッケージ・ケース：
8-SMD, Flat Leads
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
84mOhm @ 3.7A, 10V
消費電力(最大)：
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
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