SIR846DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
部品番号：
SIR846DP-T1-GE3
代替モデル：
BUK6Y33-60PX , SIR882ADP-T1-GE3 , SIR846ADP-T1-GE3 , SI7178DP-T1-GE3 , SIR870ADP-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SIR846DP-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
7.5V, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.5V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
消費電力(最大)：
6.25W (Ta), 104W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
72 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
7.8mOhm @ 20A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2870 pF @ 50 V
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