IRFH5025TRPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
部品番号：
IRFH5025TRPBF
代替モデル：
IRFH5025TR2PBF , TPH1110FNH , L1Q , IRFH5020TRPBF , SIR692DP-T1-RE3 , SIT8008AI-33-33S-25.000000 , LL4448 , HS2FA R3G , TPH5200FNH , L1Q , BSC600N25NS3GATMA1 , BSC670N25NSFDATMA1 , SI7190ADP-T1-RE3 , SI7190DP-T1-GE3 , IRFH5015TRPBF , BSZ42DN25NS3GATMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 6EDL04N06PTXUMA1 , 2ED2101S06FXUMA1 , 1EDF5673FXUMA1 , 2ED2106S06FXUMA1
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
RoHS の：
YES
IRFH5025TRPBF 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
250 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
56 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (最大) @ ID：
5V @ 150µA
消費電力(最大)：
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.8A (Ta)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2150 pF @ 50 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
100mOhm @ 5.7A, 10V
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