IRF8910GPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
部品番号：
IRF8910GPBF
代替モデル：
IRF8910GTRPBF
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
RoHS の：
NO
IRF8910GPBF 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SO
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 N-Channel (Dual)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
13.4mOhm @ 10A, 10V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
パワー - 最大：
2W
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.55V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
11nC @ 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
10A
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
960pF @ 10V
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