IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
部品番号：
IXTY02N120P
代替モデル：
IXTY02N120P-TRL , IXTY02N120P-TRL , IMW120R350M1HXKSA1 , APV1121SX , 0734152063 , CC1110F32RHHT , STH2N120K5-2AG , IXTA08N120P , KMB23S , STD2N105K5 , 1778001 , BLM18PG471SN1D , 750315371 , HV9150K6-G , ESD12VD9-TP , IXTT02N450HV
製造元：
Wickmann / Littelfuse
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
RoHS の：
YES
IXTY02N120P 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-252AA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1200 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 100µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
104 pF @ 25 V
消費電力(最大)：
33W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
200mA (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
4.7 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
75Ohm @ 500mA, 10V
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：19723
数量
単価
国際価格
1
1.82
1.82
70
1.46
102.2
140
1.2
168
560
1.09
610.4
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