IPB031NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
部品番号：
IPB031NE7N3GATMA1
代替モデル：
VNS14NV04PTR-E , LTC2604IGN#TRPBF , STN3P6F6 , LM1117IMPX-3.3/NOPB , FT232HL-REEL , STP24DP05BTR , RCLAMP0502N.TCT , MCP1700T-3302E/MB , AD7249ARZ , TPS3125J18DBVR , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
RoHS の：
YES
IPB031NE7N3GATMA1 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
75 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3-2
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
117 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
214W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.8V @ 155µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
8130 pF @ 37.5 V
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