IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
部品番号：
IPB020NE7N3GATMA1
代替モデル：
TPH2R608NH , L1Q , XZMDK55W-1 , MAX16053AUT+T , IPB019N06L3GATMA1 , OP284ESZ , LT1084IT#PBF , FDB024N06 , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
RoHS の：
YES
IPB020NE7N3GATMA1 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
75 V
消費電力(最大)：
300W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.8V @ 273µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
206 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
14400 pF @ 37.5 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
2mOhm @ 100A, 10V
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