SPD30P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
部品番号：
SPD30P06PGBTMA1
代替モデル：
IRS2005STRPBF , IRS10752LTRPBF , SD840YS_L2_00001 , SSM3J351R , LF , 0430450612 , MCP1825S-3302E/DB , INA199A1DCKR , DMP6180SK3-13 , NSR01F30MXT5G , TPSM863257RDXR , TL4242DRJR , 0ZCG0050AF2C , 3425L260/60UR , MBRD835LT4G , SF72S006VBDR2500 , SN74LVC2G17DBVR , LTC4079EDD#PBF
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
RoHS の：
YES
SPD30P06PGBTMA1 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
資格：
AEC-Q101
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
消費電力(最大)：
125W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
30A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO252-3
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
48 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
75mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 1.7mA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1535 pF @ 25 V
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