IPW60R099C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
部品番号：
IPW60R099C6FKSA1
代替モデル：
MBRS4201T3G , SPW47N60C3FKSA1 , IPW60R190P6FKSA1 , SPW35N60C3FKSA1 , IPW60R099P6XKSA1 , IPP60R099C6XKSA1 , MC908GP32CFBE , IPW60R099CPFKSA1 , LMZM23601V5SILR , IPW60R099P7XKSA1 , STM32L476MGY6TR , TPS92515HVQDGQRQ1 , STP34NM60N , IPB65R110CFDAATMA1 , S9S12G128AMLF , 2EDN7524FXTMA1 , 2EDN7523FXTMA1
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
RoHS の：
YES
IPW60R099C6FKSA1 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
600 V
パッケージ・ケース：
TO-247-3
消費電力(最大)：
278W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO247-3-1
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
119 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
37.9A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.5V @ 1.21mA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2660 pF @ 100 V
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：2266
数量
単価
国際価格
1
7.82
7.82
30
6.25
187.5
120
5.59
670.8
510
4.93
2514.3
1020
4.43
4518.6
2010
4.16
8361.6
ヒント：次の表に記入してください。できるだけ早く連絡します。
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