IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
部品番号：
IPP600N25N3GXKSA1
代替モデル：
IMZ120R350M1HXKSA1 , IRFB4229PBF , CST25-0100 , IPP320N20N3GXKSA1 , BSC600N25NS3GATMA1 , PMEG4010CEAX , STP50NF25 , JW2SN-B-DC5V , BZX384-C15 , 115 , FCX495QTA , IRFP254B , IRFI4321PBF , SI2324DS-T1-BE3 , LFXTAL003051BULK , MINISMDC150F/16-2 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 6EDL04N06PTXUMA1 , 2ED2101S06FXUMA1 , 1EDF5673FXUMA1 , 2ED2106S06FXUMA1
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
RoHS の：
YES
IPP600N25N3GXKSA1 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
パッケージ・ケース：
TO-220-3
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
250 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
25A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO220-3-1
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
60mOhm @ 25A, 10V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
136W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 90µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2350 pF @ 100 V
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：2010
数量
単価
国際価格
1
3.38
3.38
50
2.68
134
100
2.3
230
500
2.05
1025
1000
1.75
1750
2000
1.65
3300
5000
1.58
7900
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