IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
部品番号:
IPI147N12N3GAKSA1
代替モデル:
1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS20752LTRPBF  ,  IRS2011STRPBF  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  2ED2110S06MXUMA1
製造元:
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
RoHS の:
YES
IPI147N12N3GAKSA1 仕様
取付タイプ:
Through Hole
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大):
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):
10V
動作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース:
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
120 V
消費電力(最大):
107W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ:
PG-TO262-3
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
49 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
56A (Ta)
Vgs(th) (最大) @ ID:
4V @ 61µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
3220 pF @ 60 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
14.7mOhm @ 56A, 10V
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