IPG20N06S3L-35
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
部品番号:
IPG20N06S3L-35
製造元:
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
説明:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
RoHS の:
NO
IPG20N06S3L-35 仕様
取付タイプ:
Surface Mount
パワー - 最大:
30W
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴:
Logic Level Gate
パッケージ・ケース:
8-PowerVDFN
動作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
構成:
2 N-Channel (Dual)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
20A
サプライヤーデバイスパッケージ:
PG-TDSON-8-4
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
23nC @ 10V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
55V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
35mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID:
2.2V @ 15µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1730pF @ 25V
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