BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
部品番号：
BSC520N15NS3GATMA1
代替モデル：
BSZ520N15NS3GATMA1 , RS6R035BHTB1 , PDS3200-13 , PNE20010ERX , BSC350N20NSFDATMA1 , LTC3895EFE#PBF , BSC500N20NS3GATMA1 , BSS308PEH6327XTSA1 , BSL215CH6327XTSA1 , NDS0605 , IPT019N08N5ATMA1 , LTC7801IFE#TRPBF , BSC160N15NS5SCATMA1 , REG710NA-5/3K , BSC320N20NS3GATMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , IRS2007STRPBF
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
RoHS の：
YES
BSC520N15NS3GATMA1 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
150 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
12 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
21A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
8V, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TDSON-8-5
消費電力(最大)：
57W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 35µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
52mOhm @ 18A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
890 pF @ 75 V
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