US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
部品番号：
US6M11TR
代替モデル：
2SCR573D3TL1 , TMP75CQDRQ1 , DMN10H170SVTQ-7 , DTA114EU3T106 , DTA143EU3T106 , SSM6L39TU , LF , SSM6L56FE , LM , PJ-036AH-SMT-TR , DMN2004VK-7 , LTC6404HUD-1#PBF , SN74AHC123APWR , US6M2TR , QS6K1TR , DTD113ZUT106 , RJP020N06T100
製造元：
ROHM Semiconductor
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
RoHS の：
YES
US6M11TR 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
6-SMD, Flat Leads
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
構成：
N and P-Channel
FETの特徴：
Logic Level Gate
パワー - 最大：
1W
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 1mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TUMT6
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
1.8nC @ 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
110pF @ 10V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V, 12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.5A, 1.3A
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