IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
部品番号：
IXTA6N100D2
代替モデル：
IXTA6N100D2-TRL , IXTA6N100D2-TRL , IXTH6N100D2 , 10054999-R0600BULF , IXTA6N100D2HV , MC34708VM , EP4CE10F17C8N , IXTA3N100D2 , DS2502P-E48+ , MMSZ4689T1G
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
RoHS の：
YES
IXTA6N100D2 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1000 V
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
消費電力(最大)：
300W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263AA
FETの特徴：
Depletion Mode
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
95 nC @ 5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2650 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
2.2Ohm @ 3A, 0V
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8.22
411
100
7.36
736
500
6.49
3245
1000
5.84
5840
2000
5.48
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