IPD038N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
部品番号：
IPD038N06N3GATMA1
代替モデル：
IPD025N06NATMA1 , IPD038N06NF2SATMA1 , FDD86367 , IPD100N06S403ATMA2 , FDD86367-F085 , IPD90N06S404ATMA2 , IPD031N06L3GATMA1 , IPD034N06N3GATMA1 , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
RoHS の：
YES
IPD038N06N3GATMA1 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
90A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO252-3
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
188W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 90µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
3.8mOhm @ 90A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
8000 pF @ 30 V
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