IPB16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK
部品番号：
IPB16CN10N G
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK
RoHS の：
NO
IPB16CN10N G 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3
消費電力(最大)：
100W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
48 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
53A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
3220 pF @ 50 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 61µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
16.5mOhm @ 53A, 10V
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