SI7858ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
部品番号：
SI7858ADP-T1-GE3
代替モデル：
SI7858BDP-T1-GE3 , SI7858ADP-T1-E3 , UCC2897ARGPR , BSB044N08NN3GXUMA1 , SI7216DN-T1-E3 , UCC3808APWTR-2 , SI7430DP-T1-E3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SI7858ADP-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
12 V
Vgs (最大)：
±8V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
20A (Ta)
消費電力(最大)：
1.9W (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
80 nC @ 4.5 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
2.6mOhm @ 29A, 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5700 pF @ 6 V
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