SI7842DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
部品番号：
SI7842DP-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
RoHS の：
YES
SI7842DP-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.4V @ 250µA
パワー - 最大：
1.4W
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8 Dual
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
22mOhm @ 7.5A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6.3A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
20nC @ 10V
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