SI7465DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
部品番号：
SI7465DP-T1-GE3
代替モデル：
TCMT1116 , BSC030P03NS3GAUMA1 , ASMT-RJ45-AQ502 , SI7415DN-T1-GE3 , IRM-20-12 , BCV28 , 115 , VLMTG1300-GS08 , PJQ5427_R2_00001 , 744273801 , TDA04H0SB1 , SI7220DN-T1-GE3 , 180-M44-113R911 , VLMY1300-GS08 , NTMFS005P03P8ZT1G , SI7465DP-T1-E3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SI7465DP-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
消費電力(最大)：
1.5W (Ta)
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
64mOhm @ 5A, 10V
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