SI7216DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
部品番号：
SI7216DN-T1-GE3
代替モデル：
SIR873DP-T1-GE3 , SI7157DP-T1-GE3 , MPQ4470AGL-AEC1-P , SI4090DY-T1-GE3 , LTC2635HMSE-HZ10#PBF , SI4816BDY-T1-GE3 , SZMM5Z7V5T1G , NCV890104MWR2G , NCV7520MWTXG , SI7232DN-T1-GE3 , SISB46DN-T1-GE3 , S12B-PH-K-S , XP202A0003MR-G , SQS966ENW-T1_GE3 , SI4056DY-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
RoHS の：
YES
SI7216DN-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
構成：
2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
32mOhm @ 5A, 10V
パッケージ・ケース：
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
19nC @ 10V
パワー - 最大：
20.8W
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
670pF @ 20V
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