SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
部品番号：
SI6423DQ-T1-GE3
代替モデル：
NDC7001C , FTSH-105-01-F-D-RA-K , SI6423DQ-T1-E3 , SI2302CDS-T1-E3 , BZG03C82-M3-08 , LT8631EFE#PBF , SI6415DQ-T1-GE3 , SI7938DP-T1-GE3 , SI2366DS-T1-GE3 , TFM-130-12-L-D-A-P-TR , LTC3129EMSE#PBF , NCP81075MNTXG , SMP1322-005LF , XC7S25-1CSGA324C , SI4116DY-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
RoHS の：
YES
SI6423DQ-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-TSSOP
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
12 V
Vgs (最大)：
±8V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.8V, 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
8.2A (Ta)
消費電力(最大)：
1.05W (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
110 nC @ 5 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID：
800mV @ 400µA
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