STB3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
STB3N62K3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
Vgs (最大)：
±30V
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ：
D2PAK
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.7A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4.5V @ 50µA
消費電力(最大)：
45W (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
620 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
385 pF @ 25 V
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