SIA421DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
部品番号：
SIA421DJ-T1-GE3
代替モデル：
SN74HCS125BQAR , MAX25240AFFD/VY+ , SIA483DJ-T1-GE3 , SN65MLVD047APW , QLS6A-FKW-CNSNSF043 , RCLAMP0531TQTCT , SIA469DJ-T1-GE3 , LT8334RDE#PBF , SIAA40DJ-T1-GE3 , HX6096NLT , PMEG3020CPA , 115 , ROE-0505S , CT05-3050-J1 , MAX77962EWJ06+T , 0878311620
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
RoHS の：
YES
SIA421DJ-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SC-70-6
消費電力(最大)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SC-70-6
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
950 pF @ 15 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
35mOhm @ 5.3A, 10V
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