SI7164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
部品番号：
SI7164DP-T1-GE3
代替モデル：
AOTL66518 , SN74LVC1G175DBVR , LTC4231HMS-1#PBF , DMN601VK-7 , VS-12CWQ10FN-M3 , MAX821TUS+T , SSM6N813R , LXHF , LTC4211CMS#PBF , LT8364EDE#PBF , PDS760-13 , BSC093N15NS5ATMA1 , CSD19537Q3 , SI7308DN-T1-GE3 , SBRD10200 , TPS54526RSAR
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SI7164DP-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4.5V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
消費電力(最大)：
6.25W (Ta), 104W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
75 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
6.25mOhm @ 10A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2830 pF @ 30 V
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