SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
部品番号：
SI2302CDS-T1-GE3
代替モデル：
SI2301CDS-T1-GE3 , XZMG53W-1 , PMEG2010ER , 115 , LL4148 , BD9E302EFJ-E2 , BD80C0AWFP-CE2 , 686110183822 , SML-P12PTT86 , SI5338A-B-GMR , DMC3025LSD-13 , TXS0108EPWR , SI2301BDS-T1-E3 , BZX384-C5V6 , 115 , SI2302CDS-T1-BE3 , PCA9306DTR2G
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
RoHS の：
YES
SI2302CDS-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.6A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±8V
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-23-3 (TO-236)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
5.5 nC @ 4.5 V
消費電力(最大)：
710mW (Ta)
Vgs(th) (最大) @ ID：
850mV @ 250µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
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