FDA28N50
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
FDA28N50 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (最大)：
±30V
Vgs(th) (最大) @ ID：
5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-3P-3, SC-65-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
500 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
28A (Tc)
消費電力(最大)：
310W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
105 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5140 pF @ 25 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-3PN
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
155mOhm @ 14A, 10V
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：2038
数量
単価
国際価格
1
5.21
5.21
30
4.13
123.9
120
3.54
424.8
510
3.15
1606.5
1020
2.7
2754
2010
2.54
5105.4
ヒント：次の表に記入してください。できるだけ早く連絡します。
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