IRF1018ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
部品番号：
IRF1018ESTRLPBF
代替モデル：
IRF1018ESPBF , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , MEM1608D201RT001 , IRFS3806TRLPBF , IPL1-102-01-L-S-K , BAT-HLD-001-THM , FXL6408UMX , 693071030811 , HUF75545S3ST , 742C083473JP , AP2202K-ADJTRG1 , KSC221JLFS , BMP581 , TXU0101DCKR , MAX3232EESE+ , ADS1014IRUGT , MCP1801T-0902I/OT
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
RoHS の：
YES
IRF1018ESTRLPBF 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ：
D2PAK
消費電力(最大)：
110W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
79A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
69 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 100µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2290 pF @ 50 V
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標準包装数量：10425
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2400
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1752
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