SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
部品番号：
SUM110N10-09-E3
代替モデル：
STB120NF10T4 , LFTVXO009912BULK , SUM50010E-GE3 , TPS62932DRLR , NFM21CC223R1H3D , UCC27282QDDARQ1 , SMAZ6V2-TP , IRFS4410ZTRLPBF , SQJA82EP-T1_GE3 , 0530481260 , TLP293(GB-TPL , E , SMAZ15-TP , IXFA130N10T2 , MSCSM120AM31CT1AG , 0532590629
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
RoHS の：
YES
SUM110N10-09-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263 (D2PAK)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
110A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
160 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
3.75W (Ta), 375W (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
6700 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
9.5mOhm @ 30A, 10V
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標準包装数量：5943
数量
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国際価格
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2.5
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1600
2.13
3408
2400
2.01
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5600
1.94
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