FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
部品番号:
FDC637BNZ
代替モデル:
DMN1019UVT-7  ,  ZXM61P03FTA  ,  17-150184  ,  NDC7001C  ,  MT29F4G08ABADAWP:D  ,  MCP4561-502E/MS  ,  0702461404  ,  09474747103  ,  BZG03C82-M3-08  ,  FDC6420C  ,  STM32F207IGH6  ,  746X101103JP  ,  SI2366DS-T1-GE3  ,  STM32F103RCT6  ,  NSBC115EDXV6T1G
製造元:
Sanyo Semiconductor/onsemi
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
RoHS の:
YES
FDC637BNZ 仕様
取付タイプ:
Surface Mount
パッケージ・ケース:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ:
SuperSOT™-6
消費電力(最大):
1.6W (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
20 V
Vgs (最大):
±12V
Vgs(th) (最大) @ ID:
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
12 nC @ 4.5 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
6.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
895 pF @ 10 V
迅速な見積もり依頼
メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:22029
数量
単価
国際価格
3000
0.15
450
6000
0.15
900
9000
0.14
1260
30000
0.13
3900
75000
0.13
9750
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