SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
部品番号：
SIF912EDZ-T1-E3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
RoHS の：
YES
SIF912EDZ-T1-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
15nC @ 4.5V
パワー - 最大：
1.6W
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
7.4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
パッケージ・ケース：
PowerPAK® 2x5
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® (2x5)
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