SI8900EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
部品番号：
SI8900EDB-T2-E1
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS の：
YES
SI8900EDB-T2-E1 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
パワー - 最大：
1W
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
5.4A
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 1.1mA
パッケージ・ケース：
10-UFBGA, CSPBGA
サプライヤーデバイスパッケージ：
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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